Evolution de la résistance dynamique Ron_dyn des transistors de puissance GaN pendant les cycles de commutation

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Généralités sur les composants Grands Gaps

Les nouvelles technologies mises en œuvre pour réduire la consommation énergétique des systèmes électroniques se basent sur les matériaux Grands Gaps (semi-conducteurs à large bande interdite) tels que le Carbure de Silicium (SiC), le Nitrure de Gallium (GaN) et le Diamant. Les objectifs recherchés à travers ces technologies sont la réduction des dimensions et du poids des convertisseurs, l’augmentation de l’efficacité énergétique et la diminution des coûts.
La technologie GaN (Nitrure de Gallium) fait partie des technologies « Grands Gaps » qui permet de repousser les limites des semi-conducteurs de puissance actuels. Dans cette section, des généralités sur les matériaux Grands Gaps sont présentées en mettant l’accent sur le positionnement du GaN par rapport aux Si, SiC et au Diamant.

Compromis entre la tenue en tension et la température

Les dispositifs de puissance traditionnels réalisés à partir du Silicium (Si) montrent certaines limitations dès lors que l’on souhaite combiner de fortes tenues en tension, des utilisations en températures au-dessus de 200°C et des fréquences de commutation élevées afin d’augmenter les densités de puissance. Pour franchir ces limitations, il est nécessaire de recourir à des matériaux à large bande interdite (Grands Gaps) qui présentent des propriétés plus adaptées. Ils permettent un fonctionnement potentiel du dispositif à des températures, des tensions et des vitesses de commutation supérieures aux dispositifs à base de Silicium (Si) utilisés actuellement. Le Carbure de Silicium (SiC), le Nitrure de Galium (GaN) et le Diamant sont les matériaux à large bande interdite les plus prometteurs.
Les compromis tenus en tension/température de différents matériaux à large bande interdite sont présentés en figure I.1. Pour le Silicium, si la tenue en tension dépasse le kilovolt, la température de fonctionnement est limitée à environ 200°C. Pour les semi-conducteurs à large bande interdite, le compromis est beaucoup plus large. Le Diamant est le meilleur matériau, mais en raison de son coût élevé et de son niveau d’évolution, le GaN et le SiC restent les mieux adaptés. Avec des dispositifs à base de GaN ou de 4H-SiC, la tenue en tension pourrait théoriquement atteindre de très fortes tensions dans une ambiance supérieure à 500°C (Cf. Figure I.1).
Figure I. 1: Compromis entre la tenue en tension et la température pour différents semi-conducteurs [But11]
Les avantages des matériaux à large bande interdite sont présentés dans le tableau I.1 : un champ critique plus élevé (permettant de plus hautes tenues en tension), une vitesse de saturation plus élevée (permettant d’augmenter les fréquences de commutation) et la mobilité électronique élevée (permettant de faibles résistances à l’état passant).
Néanmoins, le SiC (4H-SiC) et le GaN présentent des propriétés assez similaires par rapport au matériau standard Silicium (Cf. Tableau I.1). Pour la plupart des propriétés, le GaN est légèrement supérieur au SiC. Cependant, la conductivité thermique du GaN est un point faible. Cela est également visible dans les figures de mérite comparées et normalisées par rapport au Silicium, situées dans le tableau I.2, extrait de [Zha01].
La figure I.2 met en évidence certaines propriétés des matériaux clés GaN et SiC. Bien que le GaN offre théoriquement de meilleures performances en haute fréquence et en haute tension, sa conductivité thermique plus basse confère au SiC la meilleure position pour les dispositifs hautes températures. Mais, utiliser un substrat à base de SiC pour les dispositifs GaN permettrait de tirer avantage de la bonne conductivité thermique de l’un tout en conservant les performances électriques de l’autre. Ce schéma permet de bien montrer les potentialités du SiC et du GaN par rapport au Silicium et de préfigurer les avantages de l’un par rapport à l’autre.

Compromis entre la tenue en tension et la résistance RON-spécifique

La figure I.3 présente les limites théoriques de la résistance RON spécifique en fonction de la tenue en tension du GaN en comparaison avec celles du SiC et Si. Comme attendu, vu les mobilités respectives des électrons dans ces matériaux, les résistances RON spécifiques GaN sont inférieures d’un ordre de grandeur à celles des dispositifs SiC et inférieures de deux ordres de grandeur à celles des dispositifs à base de Silicium.
Pour les composants HEMT-GaN et pour des tenues en tension faibles, les dimensions Drain-Source sont suffisamment réduites pour que la résistance du canal RON soit la plus faible possible. A contrario, pour des tenues en tensions élevées, la longueur du canal augmente et la résistance spécifique du canal devient le facteur limitant du fonctionnement des dispositifs GaN. Contrairement au SiC, les dispositifs GaN actuels sont encore loin de la limite unipolaire théoriquement prévue et de fortes marges de progrès sont encore à attendre.
Figure I. 3 : Résistances ON spécifiques en fonction de la tenue de tension des différents matériaux de semi-conducteurs [Kam12]

Applications des composants Grands Gaps

Comme le montre la figure I.4, il existe une intersection de la performance actuelle du SiC et de la performance du GaN à environ 1000V. En-dessous de cette valeur, l’utilisation du matériau GaN pour les semi-conducteurs est bénéfique en termes de réduction de la résistance spécifique du canal. La fabrication des composants à base de GaN évolue continuellement, on s’attend donc dans les prochaines années à avoir de meilleures performances en se rapprochant des limites théoriques du matériau GaN.
Par conséquent, l’application idéale pour les transistors GaN est la réalisation de circuits intégrés à haute tension allant jusqu’à 1000V. Le SiC est plutôt adapté aux dispositifs discrets ou aux modules avec des tensions de claquage supérieures à 1000V [Kam12].
Les dispositifs à large bande interdite offrent une vitesse de commutation élevée et un fonctionnement à haute température. Cependant, les deux aspects ne sont actuellement pas réalisables en raison des 27 limitations des boîtiers. Ainsi, une amélioration significative est nécessaire pour exploiter pleinement les avantages des dispositifs à base des matériaux à large bande interdite (particulièrement les dispositifs à base de GaN).
Figure I. 4 : Domaines d’application actuels du GaN vs ceux du SiC [Kam12]
Plusieurs applications des Grands Gaps et plus particulièrement du GaN sont décrites dans [Kac07, Kac12, Ued13, Jai08, Tol03]. Les auteurs de [Kac07] et [Kac12] discutent de l’application des dispositifs GaN dans le domaine automobile, en particulier pour les véhicules hybrides. Le recours au GaN est utilisé pour créer des onduleurs à haute puissance électrique afin de piloter des moteurs de grande puissance. [Ued13] présente de nouvelles technologies à base de GaN, comme un système inverseur qui a atteint 99.3% de rendement de conversion en utilisant la structure GIT (Gate Injection Transistor), cette structure est détaillée plus loin.
Grace à sa tension de claquage et sa vitesse de saturation des électrons les plus élevées, le candidat évident pour remplacer les technologies Si et GaAs, pour les applications RF, est le HEMT-GaN [Jai08].
Les développements récents dans les dispositifs HEMT-GaN ont permis de concevoir des amplificateurs à découpage avec une puissance élevée et un rendement très élevé aux fréquences micro-ondes [Jai08].
L’intérêt industriel pour les dispositifs de puissance GaN augmente régulièrement. Au cours de la dernière décennie et en se focalisant sur les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT) à base de GaN, ces derniers ont été utilisés pour la fabrication de diodes électroluminescentes et ils servent de plate-forme pour les applications électroniques à hautes fréquences et hautes tensions.
Mais la technologie GaN doit s’améliorer et se développer pour atteindre les limites théoriques décrites dans cette section. Ma thèse est dédiée à l’étude des modes de dégradation des transistors à base de GaN. Ainsi, une analyse bibliographique des différents modes de défaillance s’avère nécessaire à ce stade. Mais avant d’entamer cette étude, il est nécessaire de connaitre les différentes structures des transistors GaN existant sur le marché.

Structures des composants GaN

Les premiers transistors à base de GaN pour des applications de commutation ont été réalisés sur des substrats en Saphir et Carbure de Silicium (4H-SiC et 6H-SiC) [Zha01]. Ce n’est que plus récemment que les substrats Silicium ont été utilisés pour la croissance du GaN [Ish99, Ish10]. Dans le tableau I.3, issu de [Kell17], nous pouvons observer que le substrat SiC présente le moindre écart de mailles avec le GaN alors que le Saphir et le Silicium présentent des écarts comparables mais dans des sens opposés. Les écarts de coefficients de dilatation sont également moins favorables avec le Silicium qu’avec les autres substrats. Malgré ces désavantages, l’utilisation du Silicium comme substrat a permis d’accélérer le développement de ce type de composant pour sa commercialisation. Cela est dû à une diminution des coûts puisqu’il est devenu possible d’utiliser les lignes de production du Silicium et leurs grands diamètres de wafers [Ish10].
Tableau I.4 : Propriétés des différents substrats pour l’épitaxie du GaN [Kell17]
Les contraintes mécaniques dues aux écarts de mailles ont cependant été traitées par les technologues à l’aide d’une structure entrelacée de couches successives de GaN et AlN entre le substrat Si et la couche active de GaN/AlGaN afin de réduire progressivement le désaccord de maille, comme on peut le voir sur la figure I.5 [Ish10].

Structure latérale

Les structures latérales concernent la majorité de celles développées à l’heure actuelle, issues des composants HEMT dérivés des composants RF. La structure de base exploite le gaz-2D (2DEG) d’électrons qui forme le canal entre drain et source à l’interface entre le GaN et l’AlGaN. Les caractéristiques de ces composants latéraux sont adaptées à des applications de faibles et moyennes puissances, en particulier pour le véhicule électrique. La caractéristique principale recherchée est la forte mobilité des électrons dans ce canal permettant des vitesses de saturation des porteurs élevées et donc des utilisations dans les hautes fréquences. Par ailleurs, les fortes densités de charges dans le gaz-2D permettent de réduire la résistance à l’état passant (Ron).
Les travaux sur ces structures pour les applications de commutations ont particulièrement été liés à l’obtention de composants Normally-Off qui sont souhaités dans ce domaine. Les différentes structures latérales dans cette démarche sont représentées en figure I.6, extraite de [Kac12], où l’on peut observer :
– la structure (a) « recess gate » se base sur un creusement partiel de la couche AlGaN, réduisant l’épaisseur de cette couche sous la grille [Sai06]. La barrière AlGaN dont l’épaisseur est de l’ordre de 20 à 25nm est réduite à une épaisseur de l’ordre de 2 à 5nm ce qui réduit significativement la concentration du 2DEG sous la grille. En conséquence, la tension seuil (Vth) est ramenée vers des valeurs positives sans pour autant avoir des valeurs de Vth très positives car il est difficile de dépleter complètement le canal [Ibb00, Kac14].
– la structure (b) p-GaN permet de produire une zone déplétée dans la barrière AlGaN sous la zone p-GaN, et réduire ainsi par déplétion la concentration du 2DEG et par conséquent déplacer la tension de seuil Vth vers les valeurs positives [Uem06, Hil11]. Cependant, ces structures présentent des courants de fuite de grille.
– la structure (c) met en œuvre une implantation d’ions Fluor dans l’AlGaN dont la charge négative est utilisée pour dépléter le 2DEG [Cai06].
– la structure (d) « MOS-Gate » est une extension du « recess gate » jusqu’au creusement total de la couche AlGaN sous la grille. Le canal y est interrompu sans tension de grille et reformé par la création d’un canal MOS en polarisant la grille [Ike11, Su12, Mar10].
– Structure GIT : La société Panasonic a développé un transistor avec une structure de grille p-AlGaN au lieu de p-GaN, dénommée « Gate Injection Transistor » (GIT) [Uem06, Uem07]. Elle est mieux adaptée et elle exploite l’injection de trous de cette couche vers le canal, ce qui mène à une réduction de la résistance à l’état passant.
Le principe du GIT est visible en figure I.7. A Vg=0V, le 2DEG sous la grille est déplété et le transistor est bloqué. La polarisation directe de la jonction PN de grille entraine l’injection de trous de la zone P vers le 2DEG. La présence des trous dans la zone du canal, entraine une génération d’électrons supplémentaires dans le 2DEG pour des raisons de maintien de la neutralité électrique. Il est à noter que l’hétérojonction AlGaN/GaN empêche l’injection d’électrons dans le sens inverse (vers le P-AlGaN). La conductivité du canal 2DEG est ainsi modulée par cette injection de trous [Ued17]. Les caractéristiques typiques du GIT fabriqué par Panasonic sont présentées en figure I.8 [Uem07, Ued17].
Concernant la tenue en tension de ces structures, elle est d’autant plus importante que la distance entre drain et grille est élevée, compromettant par ailleurs la résistance RON [Mar10]. Une tenue en tension de 2.2kV a été rapportée sur une structure HFET latérale sur substrat Si (Cf. Figure I.9 (a), (b) et (c)) dans [Sri11] pour une distance drain-grille de 20µm, la résistance RON-spécifique étant de 20Ωmm (Cf. Figure I.9 (d) et (e)).
Figure I. 9 : (a) Schéma de la coupe transversale ; (b) Vue de dessus ; (c) vue arrière (microscope optique) de HFET. S = Source, G =Grille et D = Drain ; (d) et (e) Record de la tenue en tension de 2,2kV pour un RON de 20Ωmm [Sri11]

Structure verticale

En ce qui concerne les structures verticales de transistors GaN, les premiers développements datent de 2004 [Kac14, Cho08, Kod08] (Cf. Figure I.10). Le courant d’électrons circule le long de l’hétérojonction AlGaN/GaN et à travers l’ouverture centrale de la couche p-GaN. Cette dernière couche sert à couper le courant durant l’état bloqué [Kac14].

Mécanismes de dégradation des composants GaN

Malgré les progrès technologiques, les composants HEMT-GaN de puissance souffrent toujours de défauts qui les rendent non encore matures pour les applications de commutation. En effet, un certain nombre de mécanismes limite encore leurs performances et leur fiabilité [Joh14, Bis14, Men16, Men13, Men16b, Ruz16]. Ces mécanismes sont présentés schématiquement sur la figure I.11 et peuvent se répartir en trois groupes principaux [Men13c] :
– Les mécanismes induits par les électrons chauds incluant le piégeage dans les passivations SiN ou dans le cristal semi-conducteur, et la génération de défauts cristallins.
– Les mécanismes affectant les propriétés de l’hétérostructure AlGaN/GaN, c’est-à-dire les dégradations du bord de la grille dues aux polarisations inverses et la génération de pièges due aux stress électriques.
– Les mécanismes activés thermiquement qui incluent les dégradations des interconnexions métalliques, les contacts ohmiques et la délamination des passivations.
Figure I. 11: Principaux mécanismes affectant la fiabilité des HEMT-GaN, [Men13c]
Le tableau I.4, extrait de [Men17], résume les mécanismes de dégradation usuels qui sont induits lors des états passants, les états bloqués et les « semi-on state » qui sont les états de commutation de fermeture dans lesquels des niveaux élevés de tension et de courants sont présents, de manière transitoire, lors d’une commutation de l’état bloqué à l’état passant. La commutation de l’état OFF à l’état ON est plus pénalisante dans le cas où le stress électrique est induit par les forts niveaux de tensions bloquées juste avant la commutation. Ce tableau indique également les méthodes de tests qui ont été proposées dans la littérature pour l’analyse de ces dégradations. Tableau I.5 : Résumé des mécanismes de dégradations dans les HEMT-GaN [Men17]
Dans ce qui suit, nous ferons un focus sur les mécanismes de piégeages et d’électrons chauds qui sont les mécanismes que nous avons rencontrés pendant les travaux de cette thèse.

Mécanismes de piégeage

Principe et modèle mathématique

Ces mécanismes sont liés à des défauts provenant des procédés de réalisation, encore difficilement maitrisés. Les structures HEMT, avec des couches actives très fines, sont particulièrement sensibles à ces défauts et la densité du gaz-2D est facilement perturbée par ces charges.
Lorsque des défauts ponctuels ou des défauts cristallins sont présents, soit dans le volume de la structure ou aux interfaces (par exemple entre l’AlGaN et la passivation SiN de la figure I.11), ces derniers introduisent des niveaux d’énergie à l’intérieur de la bande interdite (qui est particulièrement large). Ces niveaux d’énergie, non souhaités, vont dès lors capturer et/ou émettre des porteurs en ionisant ou neutralisant le défaut auquel ils sont liés. On dit alors que les impuretés, ou les défauts, en question sont des pièges car ils auront tendance à piéger ou libérer des électrons (capture ou émission). Ceci a pour conséquence de modifier l’état de charge dans la structure et par effet électrostatique (en modifiant le champ électrique local) de modifier localement la densité du gaz-2D.
En fonction du type d’impuretés, le piège est dit accepteur s’il capte un électron (en s’ionisant négativement) ou donneur s’il le fournit (en s’ionisant positivement).
En effet, le diagramme de bandes d’un semi-conducteur monocristallin parfait (sans impuretés) se compose d’une bande de valence Ev et d’une bande de conduction Ec séparées par la bande interdite dans laquelle il n’y a aucun niveau d’énergie. Lorsque le cristal contient des atomes étrangers ou des défauts cristallins (pièges), des niveaux d’énergie discrets sont introduits dans la bande interdite, indiqués par les niveaux ET sur la figure I.12. Pour les semi-conducteurs monocristallins comme le Silicium, le Germanium et l’Arséniure de Gallium, les défauts sont généralement des impuretés métalliques, mais également des imperfections cristallines, telles que des dislocations, des empilements, des précipités, des lacunes ou des interstitiels. Dans certains semi-conducteurs comme GaAs et InP, les impuretés augmentent la résistivité du substrat, créant des substrats semi-isolants [Sch06].
Considérons l’impureté de la figure I.12 avec une énergie ET et une densité de pièges NT/cm3. Si n et p sont les densités d’électrons et de trous respectivement dans le semi-conducteur, les différents processus de capture et d’émission sont schématisées dans la figure I.12. De manière générale, il y a quatre événements possibles entre la bande de conduction, le niveau d’énergie d’impureté et la bande de valence. Le piège peut capturer un électron de la bande de conduction (Cf. Figure I.12 (a)), processus caractérisé par le coefficient de capture cn. Après la capture d’électrons, un des deux événements peut avoir lieu, le renvoi de l’électron vers la bande de conduction, émission d’électrons caractérisé par un coefficient d’émission en (Cf. Figure I.12 (b)), ou la capture d’un trou de la bande de valence (Cf. Figure I.12 (c)) caractérisé par un taux de capture cp. Après l’un ou l’autre de ces événements, le piège est occupé par un trou et il a de nouveau deux possibilités. Soit il renvoie le trou vers la bande de valence (ep) (Cf. Figure I.12 (d)), soit il capture un électron (Cf. Figure I.12 (a)).
Un événement de capture est représenté par la figure I.12 (a) suivie de (c) et un événement d’émission est représenté par (b) suivi de (d). Donc le piège peut exister dans l’un des deux états : soit occupé par un électron (nT) soit par un trou (pT). La densité des pièges occupés par des électrons (nT) et des trous (pT) doit être égale à la densité totale des pièges NT (Cf. Eq.I.1).
La densité d’électrons dans la bande de conduction n, la densité des trous dans la bande de valence p et l’état de piège nT ou pT sont toutes des fonctions du temps à cause des processus de capture et d’émission. Pour cette raison, des équations se sont définies pour suivre l’évolution de n, p et nT en fonction du temps. Seules les équations appropriées pour les électrons sont développées. Les équations pour les trous sont analogues.
La densité d’électrons dans la bande de conduction est diminuée par la capture d’électrons (processus (a) de la figure I.12) et augmentée par l’émission d’électrons (processus (b) de la figure I.12).
L’émission d’électrons dépend de la densité des impuretés occupés par les électrons nT et du taux d’émission. Elle ne dépend pas de la densité d’électrons dans la bande de conduction n car il n’est pas nécessaire qu’il y ait des électrons dans la bande de conduction pendant le processus d’émission. Mais les pièges doivent être occupés par des électrons, car s’il n’y a pas d’électrons dans les pièges, aucun électron ne peut être émis. L’expression de l’émission est représentée par le processus (b) dans la figure I.12.
Le processus de capture dépend de n, pT et du coefficient de capture cn. La densité d’électrons n est importante car, pour capturer des électrons, il doit y avoir des électrons dans la bande de conduction. L’expression de capture d’électrons est présentée par le processus (a) dans la figure I.12. Pour les trous, nous trouvons les expressions parallèles ((c) et (d)).

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Table des matières

Introduction générale
CHAPITRE I Etat de l’art sur les modes de dégradation des dispositifs de puissance à base de GaN 
Introduction
I.1 Généralités sur les composants Grands Gaps
I.1.1 Compromis entre la tenue en tension et la température
I.1.2 Compromis entre la tenue en tension et la résistance RON-spécifique
I.1.3 Applications des composants Grands Gaps
I.2 Structures des composants GaN
I.2.1 Structure latérale
I.2.2 Structure verticale
I.3 Mécanismes de dégradation des composants GaN
I.3.1 Mécanismes de piégeage
I.3.1.1 Principe et modèle mathématique
I.3.1.2 Caractérisations des pièges
I.3.1.3 Conséquences des mécanismes de piégeage
I.3.2 Electrons chauds
I.4 Problème des fuites
I.5 Problème de la variation dynamique de Ron
I.6 Vieillissement
I.6.1 Vieillissement des composants GaN en Radiofréquence
I.6.2 Vieillissement par court-circuit
I.6.3 Cyclage actif : contrainte thermique
I.7 Estimation de la température de jonction Tj
I.7.1 Méthodes électriques (mesures indirectes)
I.7.2 Méthodes optiques (mesures directes)
Conclusion
CHAPITRE II Description et caractérisations des composants étudiés
Introduction
II.1 Composant GaNSystems
II.1.1 Description générale du transistor GS66508P
II.1.2 Caractéristique statiques de transfert IDS-VGS et tension de seuil du transistor GS66508P 71
II.1.3 Caractéristiques statiques de sortie IDS-VDS du transistor GS66508P
II.1.4 Courants de fuite du transistor GS66508P
II.1.5 Gate lag et Drain lag
II.2 Composant CEA Normally-On
II.2.1 Description générale du composant Normally-On
II.2.2 Caractéristique statique de transfert IDS-VGS et tension de seuil du transistor CEA Normally-On
II.2.3 Caractéristiques statiques IDS-VDS du transistor CEA Normally-On
II.2.4 Courants de fuite du transistor CEA Normally On
II.2.5 Gate lag et Drain lag
II.3 Composant CEA Normally-Off
Conclusion
CHAPITRE III Evolution de la résistance dynamique Ron_dyn des transistors de puissance GaN pendant les cycles de commutation
Introduction
III.1 Caractérisations en commutations cycliques
III.1.1 Principe du test
III.1.2 Moyens de test et méthodologie
III.1.3 Tests de commutations cycliques sur le composant GaNSystems
III.1.3.1 Séparation de l’effet dû à la thermique de celui dû au piégeage
a) Modèle thermique
b) Etalonnage
c) Différenciation entre l’effet dû à la thermique de celui dû au piégeage
III.1.3.2 Résultats expérimentaux sur les composants GaNSystems
a) Influence de la température
b) Influence de la fréquence de commutation
c) Influence de la tension Vdc au blocage
d) Cas destructifs
III.1.4 Tests de commutations cycliques sur les composants CEA
III.1.4.1 Principe et étude expérimentale
III.1.4.2 Résultats expérimentaux
a) Tests « statiques » et « normaux »
b) Effet de la température
c) Effet du courant
d) Effet du dV/dt
III.2 Modélisation de l’évolution de la Ron_dyn
III.2.1 Modèle simplifié de Ron_dyn
III.2.2 Évolution des densités de centres “piégeurs” neutres
III.2.3 Estimation de la valeur initiale à l’équilibre
III.2.4 Estimation de la résistance Ron_dyn
Conclusion
CHAPITRE IV Effet du vieillissement par cyclage de puissance sur les composants Normally-On Al2O3/AlGaN/GaN
Introduction
IV.1 Méthodologie de test
IV.2 Mesure de la température de jonction
IV.2.1 Méthode TSEP
IV.2.2 Mesure de la température par le capteur à fibre optique
IV.3 Banc de test
IV.3.1 Paramètres thermiques et électriques relevés
IV.3.2 Conditions des tests de cyclage
IV.4 Protocole de caractérisation
IV.4.1 Caractérisations électriques
IV.4.1.1 Courbes IDS-VGS et Vth
IV.4.1.2 Transconductances gf
IV.4.1.3 Caractérisations IDS-VDS
IV.4.1.4 Résistance Ron
IV.4.2 Caractérisations des pièges
IV.4.2.1 Gate lag
IV.4.2.2 Drain-lag
IV.5 Résultats du vieillissement
IV.5.1 Caractérisations électriques
IV.5.1.1 Tension de seuil Vth
IV.5.1.2 Transconductance gf-VGS
IV.5.1.3 Caractérisations IDS-VDS
IV.5.1.4 Résistance Ron et courant de fuite Iges
IV.5.2 Caractérisations des pièges
IV.5.3 Discussion sur les résultats de vieillissement
Conclusion
Conclusion générale et Perspectives
Références

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